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今年存儲器資本支出大幅衰退,下滑至416億美元

過去兩年,存儲器芯片是驅動半導體產業資本支出強勁增長的驅動因素。隨著存儲器產業的升級換代與產能擴張計劃都已經完成或接近尾聲,預計今年DRAM和NAND Flash資本支出共416億美元,較去年大幅減少104億美元……

IC Insights預計,2019年存儲器產業資本支出將占今年半導體總資本支出總額的43%,低于2018年的49%(圖1)。預計2019年半導體總資本支出將下滑8%,至978億美元,低于2018年創紀錄的1059億美元。

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來源:IC Insights

IC Insights公布數據顯示,存儲器設備資本支出占產業支出比重在過去7年內大幅增加,從2013年的27%(147億美元)增長至2018年的49%(520億美元),若今年以43%(416億美元)計算,等同于2013-2019年復合年成長率18.9%。

2017至2018年資本投入最多的IC產品子類是NAND Flash和非易失性存儲器。不過,在過去的18個月,隨著三星、SK海力士和美光增加DRAM和NANDFlash產量,而英特爾、東芝存儲器、西部數據、SanDisk、武漢新芯、以及長江存儲等廠都在加速擴充3D NAND產能,導致DRAM和NAND Flash都進入供過于求的市場局面,價格開始走低。

IC Insights預計,2019年DRAM和閃存領域的資本支出將分別下降19%和21%(圖2)。存儲器資本支出總額預計為416億美元,比去年減少104億美元。主要存儲器廠商希望通過大幅降低DRAM和閃存資本開支,來避免未來一年半價格繼續走低。

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來源:IC Insights

暴跌的單位存儲價格,以及2019年將大幅收縮的存儲器產業資本開支,都證明了存儲器市場格局已經逆轉。而何時止跌,很大程度上取決于存儲器廠商如何調節資本開支,以及低價能否刺激市場需求增加。

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